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製品MICROBUMP / 3D METROLOGY

MicroBump3D検査・計測

マイクロバンプを対象に、多方向の投影像とシャドープロファイル法で径・高さ・三次元形状を測定し、接合前の形状のばらつきを評価します。

最小測定可能バンプ
10μm φ
画素分解能
0.35μm / Pixel
径・高さ・形状
3D
マイクロバンプ3D検査装置の測定ヘッドと走査ステージ
MICROBUMP / OPTICAL 3D INSPECTION

INSPECTION FOCUS

個々のバンプから、配列の形状まで。

バンプ径・高さ・形状を測定し、接合面の寸法とばらつきを評価します。

01

バンプ径

投影輪郭と二次元径を測定し、寸法のばらつきを確認します。

02

バンプ高さ

多方向の投影像からバンプ高さを解析し、配列内の高さのばらつきを評価します。

03

三次元形状

ピラー・円錐・角錐などの形状を測定し、実際のバンプ形状に応じて撮像条件を確認します。

IMAGING & ANALYSIS

多方向の投影像から、微細形状を解析。

シャドープロファイル法で立体的な投影像の境界を抽出し、三次元形状を解析します。TDIラインセンサーカメラ3台、青色半導体レーザー照明、走査ステージを組み合わせ、配列を測定します。

サンプル・撮像条件を相談
多方向撮像・走査の構成
多方向撮像・走査の構成
  1. 01多方向撮像
  2. 02投影輪郭の抽出
  3. 03三次元形状解析
  4. 04測定結果の出力

TECHNICAL SPECIFICATIONS

技術仕様・適用条件

技術仕様・適用条件
項目技術仕様
対応ウェハ6 / 8 / 12 inchウェハ径に応じて構成を指定
最小測定可能バンプ10 μm φ
カメラ構成8192 Pixel TDI × 3
画素分解能0.35 μm / Pixel
測定再現精度(σ)±0.1 μm / ±0.2 μmそれぞれ2D径・3D高さに対応。絶対的な測定正確さを示す値ではありません
検査時間12 min / 6 inch6インチウェハ・200万バンプの条件。バンプ寸法・倍率・走査条件により変化

画素分解能・測定再現性・絶対正確さは異なる指標です。装置構成・検査時間・検収条件は実サンプルで確認します。

MORPHOLOGY & ARRAY OBSERVATION

微細形状と配列の観察

尖端バンプの形態観察

尖端バンプの形態観察

尖端バンプの配列と局所形状を観察し、先端輪郭・間隔・形状のばらつきを確認します。

バンプ配列の形態観察

バンプ配列の形態観察

円柱バンプの配列と輪郭を示し、配列位置検出と三次元形状解析の対象を確認できます。

SAMPLE EVALUATION

サンプルから、検査構成を明確に。

01

実サンプルを共有

封止形式・バンプやワイヤ構造・観察したい課題を整理します。

02

検査・検収条件を定義

検査領域・測定量や欠陥分類・判定条件を明確にします。

03

装置構成を確認

撮像・搬送・検査時間・結果出力を確認し、評価可能な構成案をまとめます。

サンプル評価を相談

LET'S CONNECT

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初めてのご相談、技術交流、ソリューションの検討など、お気軽にお問い合わせください。

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